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发布时间:
2025-08-13 09:35:24
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1.
MOSFET
2.
N沟道增强型MOSFET有三个电极()。
3.
MOSFET开关频率高,但带负载能力弱。
4.
与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有承受大电压和大电流的能力?
5.
与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高电压和大电流的能力
6.
因为SiC-MOSFET无拖尾电流,所以用SiC‐MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗。
7.
SiC‐MOSFET工作频率远高于IGBT,有利于降低无源器件的体积,提高系统整体功率密度。
8.
N沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
9.
【单选题】N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A. U GS > U GS( th ) , U DS > U GS - U GS( th ) B.
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